記憶體短缺牽制H200出口　美議員：新規若落實輝達應拿不到許可

美國商務部本週發布新規，放寬輝達（Nvidia）等晶片大廠可以個案申請方式向中國銷售H200等先進AI晶片，但企業須證明晶片出口不會影響國內供應。美國國會議員週四（1/15）表示，由於記憶體嚴重短缺，應該會立即影響H200晶片的銷中許可。

彭博新聞報導，美國眾議院中國問題委員會主席穆勒納爾（John Moolenaar）致函商務部長盧特尼克（Howard Lutnick），表示在新的許可制度下，動態隨機存取記憶體（DRAM）的短缺將構成發放許可的「立即挑戰」。

穆勒納爾在信中寫道，由於DRAM供應情況緊張， HBM3E若出口到中國，將表示美國客戶無法使用」。HMB3E是專為AI伺服器、先進GPU設計的高頻寬記憶體。

在商務部週二（1/13）發布的新規定中，企業必須確認將晶片銷往中國不會延誤美國AI晶片買家的訂單，也不會占用原本可生產美國訂單的晶圓產能。

穆勒納爾在信中指出，這些條款與去年他支持的「GAIN AI」法案類似，但輝達與白宮遊說成功，將該法案從國防包裹法案中刪除。

輝達發言人對此表示，該公司對供應鏈常態管理，可滿足所有獲得許可的H200訂單，不影響其他產品或美國客戶。

HBM3記憶體是新一代的3D垂直堆疊DRAM技術，也是AI加速器的重要核心，由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）三家公司生產由於AI資料中心需求暴增，相關記憶體價格大漲。

輝達執行長黃仁勳本月稍早在消費電子展（CES）承認記憶體短缺，但表示輝達已公司已是最新HBM4記憶體的唯一買家，可供下一代「Vera Rubin」系列晶片使用。

美國商務部放行H200晶片有條件銷中，已引起許多國會議員擔憂。穆勒納爾已要求商務部在1 月 25 日前向委員會說明，記憶體晶片供應將如何影響出口許可。

同為共和黨籍的眾議院外交委員會主席馬斯特（Brian Mast）讚揚新規保護措施；民主黨參議員華倫（Elizabeth Warren）也是「GAIN AI」法案支持者，她表示，如果新規「妥當執行」，H200 出口中國的許可證將無一獲批。