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英特爾4奈米下半年量產 效能比7奈米增逾20%

  • 更新2022/07/04 19:21
  • 發布2022/07/04 19:13
  • 作者/ 中央社

英特爾(Intel)4奈米預計今年下半年量產,將採用極紫外光(EUV)系統,與7奈米相比,在相同功耗可提升效能逾20%。

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英特爾正在急起直追台積電與三星的領先製程。彭博新聞

英特爾近期於美國檀香山舉行的VLSI國際研討會,公布4奈米(Intel 4)製程的技術細節。英特爾今天發布新聞稿表示,相較於7奈米(Intel 7),Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,高效能元件庫密度是2倍。

英特爾指出,Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸,持續朝向微縮的方向推進,同時導入設計技術偕同最佳化,縮小單一元件的尺寸。

透過鰭式場效電晶體(FinFET)材料與結構上的改良提升效能,英特爾表示,Intel 4單一N型半導體或是P型半導體,其鰭片數量從Intel 7高效能元件庫的4片降低至3片。綜合上述技術,Intel 4不僅能夠增加邏輯元件密度,並縮減路徑延遲和降低功耗。

英特爾指出,Intel 4加入網格布線方案,簡單化並規律化電路布線,提升效能,同時改善生產良率。Intel 4採用新的金屬配方強化銅,使用銅做為導線、接點的主體,取代Intel 7所使用的鈷,外層再使用鈷、鉭包覆。

英特爾並廣泛使用EUV減化製程,可大幅度減少光罩數量和製程步驟。英特爾表示,Intel 4進展順利,將依計畫於今年下半年量產,以滿足電腦客戶端產品Meteor Lake的需求。

英特爾更指出,將導入全球第一款量產型高數值孔徑(High-NA)EUV系統,並將於2025年重回半導體製程領先地位。

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