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三星宣布量產3奈米製程! 外媒:尋新客戶以求趕上台積電

  • 更新2022/06/30 15:21
  • 發布2022/06/30 15:10
  • 作者/ 戴嘉芬

三星電子於30日表示,該公司已經啟動GAA架構(Gate-All-Around;閘極全環電晶體)的3奈米先進製程工藝,成為全球第一家量產3奈米製程的晶圓代工業者。據路透社報導指稱,三星此舉是為了尋找新客戶,以求趕上最大的競爭對手—台積電。

根據研調機構TrendForce先前公布的數據顯示,2021年全球晶圓代工業者市佔排名第一為台積電,佔有率高達53%,領先第二名的三星(18%)甚多。TrendForce並預估2022年台積電晶圓代工市佔率將提高至56%,而三星則小幅下降到16%。

三星表示,MBCFET多橋通道場效電晶體(Multi-Bridge-Channel FET)是該公司有史以來首次採用的GAA架構技術,它突破了FinFET(鰭式場效電晶體)的性能限制,透過降低電源電壓來提升功率,且同時增加電流能力來提高性能。

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三星高層包括副總裁Michael Jeong(左起)、執行副總裁Ja-Hum Ku與晶圓代工業務副總裁Sang Bom Kang於華城廠區舉起3nm晶圓。取自Samsung

該公司正把3奈米製程率先用於奈米層電晶體與半導體晶片生產,未來也將計畫應用於行動處理器生產。

三星表示,GAA技術的設計靈活性有助降低晶片功耗和面積,並提升性能。與5奈米工藝相比,第一代3奈米工藝可以降低高達45%的功耗,且提升23%性能,亦可減少16%面積;而第二代3奈米工藝降低功耗比率更高達50%,性能提高30%,面積則減少35%。

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三星代工事業部和半導體研發中心首次投入GAA架構的3nm奈米製程。取自Samsung

自去年第三季以來,三星透過旗下合作夥伴如美國Ansys公司、Cadence益華電腦、Synopsys新思科技和德國Siemens西門子等,共同成立「SAFE」(Samsung Advanced Foundry Ecosystem;先進製程晶圓代工生態系),務求在晶圓代工業務能找到更多新客戶,並增加市場佔有率。

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